兰州大学110周年校庆“聚英萃华”萃英学院校友学术论坛（第九场）—韩秀峰研究员

应萃英学院和物理科学与技术学院邀请，中科院物理所韩秀峰研究员将于4月23日来我校学术交流并做学术报告，欢迎广大师生届时参加！

报告人：韩秀峰研究员

题 目：自旋电子学材料、物理与器件研究进展

时 间: 2019年4月23日18:30

地 点：兰州大学城关校区西区观云楼801

报告人简介

韩秀峰，中科院物理所研究员、博士生导师。1984年毕业于兰州大学、1993年在吉林大学获博士学位。1998-2002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学研究。2000年获中科院“百人计划”资助；2003年获国家杰出青年基金资助；2007年获国家基金委创新研究群体基金资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。主要从事“自旋电子学材料、物理和器件原理”研究，发表《科学引文索引（SCI）》学术论文300余篇；获中国发明和国际专利授权80项；有国际会议邀请报告70余次；主编《自旋电子学导论》，参与撰写4部专著。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器原理型演示器件、非易失多功能可编程自旋逻辑单元、自旋共振隧穿二极管、自旋发光二极管、纳米环自旋纳米振荡器、纳米环微波探测器和纳米环随机数字发生器等原型器件、一种高灵敏度磁敏传感器中试型器件、和新一类磁子阀及磁子结等原型器件。

报告摘要

该报告将简述新型磁性隧道结材料制备研究、隧穿磁电阻(TMR)效应、基于量子阱态的自旋共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应和新型磁子阀效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)和新型磁子阀及其磁子阀效应等在自旋电子学核心器件方面的重要代表性应用与研发进展，例如自旋存储器/磁随机存储器(MRAM)、自旋逻辑/磁逻辑、TMR磁敏传感器、自旋共振隧穿二极管以及一类基于磁子流的新型磁子阀和磁子结等关键器件等。

萃英学院

2019年4月21日